Vishay Semiconductor Diodes Division - SE10DDHM3/I

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Número de peza:
SE10DDHM3/I
Fabricante:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Descrición detallada:
DIODE GEN PURP 200V 3A TO263AC. Rectifiers 10A 200V AEC-Q101 ESD Rectifr
Prazo de entrega estándar do fabricante:
En stock
Vida útil:
Un ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pago:
Forma de envío:
Categorías familiares:
KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - IGBTs - Arrays, Módulos de controlador de enerxía, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, previos, Tiristores: TRIAC, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Diodos - RF, Diodos - Capacitancia variable (Varicaps, Varactor and Tiristores: DIACs, SIDACs ...
Ventaxa competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SE10DDHM3/I Atributos do produto

Número de peza : SE10DDHM3/I
Fabricante : Vishay Semiconductor Diodes Division
Descrición : DIODE GEN PURP 200V 3A TO263AC
Serie : Automotive, AEC-Q101, eSMP®
Estado da parte : Active
Tipo de diodo : Standard
Tensión - Inversión CC (Vr) (Max) : 200V
Actual - Media rectificada (Io) : 3A
Tensión - Adiante (Vf) (Máx.) @ Se : 1.15V @ 10A
Velocidade : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Tempo de recuperación inversa (trr) : 3µs
Actual - Fuga inversa @ Vr : 15µA @ 100V
Capacitancia @ Vr, F : 67pF @4V, 1MHz
Tipo de montaxe : Surface Mount
Paquete / Estuche : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab) Variant
Paquete de dispositivos de provedores : TO-263AC (SMPD)
Temperatura de funcionamento: unión : -55°C ~ 175°C

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