FFD08S60S-F085 Prezos (USD) [281157unidades de stock]
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- Número de peza:
- FFD08S60S-F085
- Fabricante:
- ON Semiconductor
- Descrición detallada:
- DIODE GEN PURP 600V 8A DPAK. Rectifiers 8A, 600V Stealth II Rectifier
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - Bipolar (BJT) - Único, pre-sesgado, Diodos - RF, Diodos - Rectificadores - Solteiros, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Transistores - Finalidade especial, Transistores - Bipolar (BJT) - Individual, Diodos - Zener - Arrays and Transistores - Bipolar (BJT) - RF ...
- Ventaxa competitiva:
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FFD08S60S-F085 Atributos do produto
Número de peza :
FFD08S60S-F085
Fabricante :
ON Semiconductor
Descrición :
DIODE GEN PURP 600V 8A DPAK
Serie :
Automotive, AEC-Q101, STEALTH™ II
Estado da parte :
Active
Tipo de diodo :
Standard
Tensión - Inversión CC (Vr) (Max) :
600V
Actual - Media rectificada (Io) :
8A
Tensión - Adiante (Vf) (Máx.) @ Se :
2.6V @ 8A
Velocidade :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo de recuperación inversa (trr) :
30ns
Actual - Fuga inversa @ Vr :
100µA @ 600V
Capacitancia @ Vr, F :
-
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete / Estuche :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Paquete de dispositivos de provedores :
TO-252
Temperatura de funcionamento: unión :
-65°C ~ 150°C
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- STTH8L06DIRG
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- UF4007 TR
- BY329-1200,127
- S1G-F
- 1F1-TP
- UF5406-AP
- 1N649UR-1
- FESF16HTHE3/45
- FES8AT-E3/45
- RP 3FV4
- RFN5BM2SFHTL
- BAS283-GS18