Número de peza :
SSM6K202FE,LF
Fabricante :
Toshiba Semiconductor and Storage
Descrición :
MOSFET N-CH 30V 2.3A ES6
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
30V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
2.3A (Ta)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
1.8V, 4V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
85 mOhm @ 1.5A, 4V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1V @ 1mA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
-
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
270pF @ 10V
Disipación de potencia (máx.) :
500mW (Ta)
Temperatura de operación :
150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores :
ES6 (1.6x1.6)
Paquete / Estuche :
SOT-563, SOT-666