Número de peza :
2SK2845(TE16L1,Q)
Fabricante :
Toshiba Semiconductor and Storage
Descrición :
MOSFET N-CH 900V 1A DP
Estado da parte :
Obsolete
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
900V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
1A (Ta)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
9 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 1mA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
15nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
350pF @ 25V
Disipación de potencia (máx.) :
40W (Tc)
Temperatura de operación :
150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores :
DP
Paquete / Estuche :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63