Número de peza :
GSID100A120T2C1A
Fabricante :
Global Power Technologies Group
Descrición :
SILICON IGBT MODULES
Configuración :
Three Phase Inverter
Tensión - Desglose do emisor do coleccionista (máximo) :
1200V
Actual - Coleccionista (Ic) (máximo) :
200A
Vce (activado) (Máx.) @ Vge, Ic :
2.1V @ 15V, 100A
Actual - Corte do coleccionista (máximo) :
1mA
Capacitancia de entrada (Cies) @ Vce :
13.7nF @ 25V
Entrada :
Three Phase Bridge Rectifier
Temperatura de operación :
-40°C ~ 150°C
Tipo de montaxe :
Chassis Mount
Paquete / Estuche :
Module
Paquete de dispositivos de provedores :
Module