Número de peza :
GPP100MS-E3/54
Fabricante :
Vishay Semiconductor Diodes Division
Descrición :
DIODE GEN PURP 1KV 10A P600
Estado da parte :
Obsolete
Tensión - Inversión CC (Vr) (Max) :
1000V
Actual - Media rectificada (Io) :
10A
Tensión - Adiante (Vf) (Máx.) @ Se :
1.05V @ 10A
Velocidade :
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Tempo de recuperación inversa (trr) :
5.5µs
Actual - Fuga inversa @ Vr :
5µA @ 1000V
Capacitancia @ Vr, F :
110pF @ 4V, 1MHz
Tipo de montaxe :
Through Hole
Paquete / Estuche :
P600, Axial
Paquete de dispositivos de provedores :
P600
Temperatura de funcionamento: unión :
-55°C ~ 175°C