DF120R12W2H3B27BOMA1 Prezos (USD) [1688unidades de stock]
- 1 pcs$25.64829
- Número de peza:
- DF120R12W2H3B27BOMA1
- Fabricante:
- Infineon Technologies
- Descrición detallada:
- IGBT MODULE 800V 50A.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Diodos - Zener - Single, Diodos: rectificadores de ponte, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Módulos de controlador de enerxía, Tiristores: SCRs and Tiristores: DIACs, SIDACs ...
- Ventaxa competitiva:
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DF120R12W2H3B27BOMA1 Atributos do produto
Número de peza :
DF120R12W2H3B27BOMA1
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrición :
IGBT MODULE 800V 50A
Serie :
-
Estado da parte :
Active
Tipo IGBT :
-
Configuración :
Three Phase Inverter
Tensión - Desglose do emisor do coleccionista (máximo) :
1200V
Actual - Coleccionista (Ic) (máximo) :
50A
Potencia: máx :
180W
Vce (activado) (Máx.) @ Vge, Ic :
2.4V @ 15V, 40A
Actual - Corte do coleccionista (máximo) :
1mA
Capacitancia de entrada (Cies) @ Vce :
2.35nF @ 25V
Entrada :
Standard
Termistor NTC :
Yes
Temperatura de operación :
-40°C ~ 150°C
Tipo de montaxe :
Chassis Mount
Paquete / Estuche :
Module
Paquete de dispositivos de provedores :
Module
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