BSM120D12P2C005 Prezos (USD) [249unidades de stock]
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- 10 pcs$185.04939
- 25 pcs$178.34484
- Número de peza:
- BSM120D12P2C005
- Fabricante:
- Rohm Semiconductor
- Descrición detallada:
- MOSFET 2N-CH 1200V 120A MODULE.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Tiristores - SCRs - Módulos, Transistores - JFETs, Transistores - IGBTs - Arrays, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Tiristores: DIACs, SIDACs, Diodos - RF, Transistores - Bipolar (BJT) - RF and Transistores - Bipolar (BJT) - Individual ...
- Ventaxa competitiva:
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BSM120D12P2C005 Atributos do produto
Número de peza :
BSM120D12P2C005
Fabricante :
Rohm Semiconductor
Descrición :
MOSFET 2N-CH 1200V 120A MODULE
Serie :
-
Estado da parte :
Active
Tipo FET :
2 N-Channel (Half Bridge)
Función FET :
Silicon Carbide (SiC)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
1200V (1.2kV)
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
-
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.7V @ 22mA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
-
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
14000pF @ 10V
Potencia: máx :
780W
Temperatura de operación :
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
-
Paquete / Estuche :
Module
Paquete de dispositivos de provedores :
Module
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