IRFP4668PBF Prezos (USD) [11516unidades de stock]
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- 10 pcs$2.21804
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- 500 pcs$1.47263
- 1,000 pcs$1.24198
- Número de peza:
- IRFP4668PBF
- Fabricante:
- Infineon Technologies
- Descrición detallada:
- MOSFET N-CH 200V 130A TO-247AC.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
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- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Transistores - Unión programable, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Diodos - Zener - Arrays, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Transistores - IGBTs - Single, Transistores - Finalidade especial and Diodos - Rectificadores - Arrays ...
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IRFP4668PBF Atributos do produto
Número de peza :
IRFP4668PBF
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrición :
MOSFET N-CH 200V 130A TO-247AC
Serie :
HEXFET®
Estado da parte :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
200V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
130A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
9.7 mOhm @ 81A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
5V @ 250µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
241nC @ 10V
Vgs (máximo) :
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
10720pF @ 50V
Función FET :
-
Disipación de potencia (máx.) :
520W (Tc)
Temperatura de operación :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Through Hole
Paquete de dispositivos de provedores :
TO-247AC
Paquete / Estuche :
TO-247-3
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