1N5627-TAP Prezos (USD) [256926unidades de stock]
- 1 pcs$0.15192
- 2,500 pcs$0.15116
- 5,000 pcs$0.14396
- Número de peza:
- 1N5627-TAP
- Fabricante:
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- Descrición detallada:
- DIODE AVALANCHE 800V 3A SOD64. Rectifiers 3.0 Amp 800 Volt
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, Diodos - Capacitancia variable (Varicaps, Varactor, Transistores - Bipolar (BJT) - Individual, Diodos - Rectificadores - Solteiros, Diodos - Zener - Arrays, Transistores - Bipolar (BJT) - Único, pre-sesgado, Diodos - Zener - Single and Diodos: rectificadores de ponte ...
- Ventaxa competitiva:
- We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division 1N5627-TAP electronic components. 1N5627-TAP can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for 1N5627-TAP, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
1N5627-TAP Atributos do produto
Número de peza :
1N5627-TAP
Fabricante :
Vishay Semiconductor Diodes Division
Descrición :
DIODE AVALANCHE 800V 3A SOD64
Serie :
-
Estado da parte :
Active
Tipo de diodo :
Avalanche
Tensión - Inversión CC (Vr) (Max) :
800V
Actual - Media rectificada (Io) :
3A
Tensión - Adiante (Vf) (Máx.) @ Se :
1V @ 3A
Velocidade :
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Tempo de recuperación inversa (trr) :
7.5µs
Actual - Fuga inversa @ Vr :
1µA @ 200V
Capacitancia @ Vr, F :
60pF @ 4V, 1MHz
Tipo de montaxe :
Through Hole
Paquete / Estuche :
SOD-64, Axial
Paquete de dispositivos de provedores :
SOD-64
Temperatura de funcionamento: unión :
-55°C ~ 175°C
Últimas novas
Tamén pode estar interesado
-
SE10FDHM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 200V 1A DO219AB. Rectifiers 1A 200V ESD Prot SMF Rectifier
-
SE10FG-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 400V 1A DO219AB. Rectifiers 1A 400V ESD Prot SMF Rectifier
-
SE10FGHM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 400V 1A DO219AB. Rectifiers 1A 400V ESD Prot SMF Rectifier
-
SE10FJHM3/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 600V 1A DO219AB. Rectifiers 1A 600V SMF Rectifier
-
SE10FD-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 200V 1A DO219AB. Rectifiers 1A 200V ESD Prot SMF Rectifier
-
SE10FDHM3/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 200V 1A DO219AB. Rectifiers 1A 200V ESD Prot SMF Rectifier
Pezas quentes
- IDD12SG60CXTMA2
- S1MFL RVG
- RGP10J-5025M3/73
- JAN1N1190
- R4260F
- R9G22011ASOO
- MURS120HE3/52T
- IDW12G65C5FKSA1
- SB040-E3/54
- NSRM30CM3T5G
- AR3PJHM3/86A
- VS-60CPF02PBF
- VS-150SQ035
- RGP02-14E-M3/73
- RS1GHE3/5AT
- RGP5020HE3/54
- SB160A-E3/73
- GP15KHE3/73
- 1N4937L-T
- MR7510-BP
- JAN1N6629US
- STTH40P03SFP
- BAS29_D87Z
- D4015L
- VS-12TQ040PBF
- SS16T3
- MBRB745
- RS3G-13
- 20ETS12S
- 1PS59SB20,115
- MBRM120ET1H
- ER1D-TP
- 1N4935-TP
- MUR110-AP
- STPS2H100UF
- RU 2V1
- SK56C M6G
- ESH2CHE3_A/I
- BA159GPE-E3/73
- LL4448-GS08