Infineon Technologies - D850N30TXPSA1

KEY Part #: K6441761

D850N30TXPSA1 Prezos (USD) [650unidades de stock]

  • 1 pcs$71.36809

Número de peza:
D850N30TXPSA1
Fabricante:
Infineon Technologies
Descrición detallada:
DIODE GEN PURP 3KV 850A.
Prazo de entrega estándar do fabricante:
En stock
Vida útil:
Un ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pago:
Forma de envío:
Categorías familiares:
KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Diodos - RF, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Transistores - IGBTs - Single, Diodos - Rectificadores - Solteiros, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Transistores - Finalidade especial and Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, previos ...
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

D850N30TXPSA1 Atributos do produto

Número de peza : D850N30TXPSA1
Fabricante : Infineon Technologies
Descrición : DIODE GEN PURP 3KV 850A
Serie : -
Estado da parte : Last Time Buy
Tipo de diodo : Standard
Tensión - Inversión CC (Vr) (Max) : 3000V
Actual - Media rectificada (Io) : 850A
Tensión - Adiante (Vf) (Máx.) @ Se : 1.28V @ 850A
Velocidade : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Tempo de recuperación inversa (trr) : -
Actual - Fuga inversa @ Vr : 50mA @ 3000V
Capacitancia @ Vr, F : -
Tipo de montaxe : Chassis Mount
Paquete / Estuche : DO-200AB, B-PUK
Paquete de dispositivos de provedores : -
Temperatura de funcionamento: unión : -40°C ~ 160°C

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