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- Número de peza:
- PMT200EN,115
- Fabricante:
- NXP USA Inc.
- Descrición detallada:
- MOSFET N-CH 100V 1.8A SC-73.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Transistores - Bipolar (BJT) - Único, pre-sesgado, Transistores - IGBTs - Single, Diodos - Rectificadores - Solteiros, Transistores - IGBTs - Arrays, Tiristores - SCRs - Módulos, Transistores - IGBTs - Módulos and Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays ...
- Ventaxa competitiva:
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PMT200EN,115 Atributos do produto
Número de peza :
PMT200EN,115
Fabricante :
NXP USA Inc.
Descrición :
MOSFET N-CH 100V 1.8A SC-73
Serie :
-
Estado da parte :
Obsolete
Tipo FET :
N-Channel
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
100V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
1.8A (Ta)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
235 mOhm @ 1.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.5V @ 250µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
10nC @ 10V
Vgs (máximo) :
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
475pF @ 80V
Función FET :
-
Disipación de potencia (máx.) :
800mW (Ta), 8.3W (Tc)
Temperatura de operación :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores :
SOT-223
Paquete / Estuche :
TO-261-4, TO-261AA
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