Microsemi Corporation - APTGT75H60T1G

KEY Part #: K6532989

APTGT75H60T1G Prezos (USD) [2155unidades de stock]

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  • 10 pcs$28.14547
  • 25 pcs$26.38642
  • 100 pcs$25.15511

Número de peza:
APTGT75H60T1G
Fabricante:
Microsemi Corporation
Descrición detallada:
POWER MOD IGBT FULL BRIDGE SP1.
Prazo de entrega estándar do fabricante:
En stock
Vida útil:
Un ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pago:
Forma de envío:
Categorías familiares:
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Ventaxa competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

APTGT75H60T1G Atributos do produto

Número de peza : APTGT75H60T1G
Fabricante : Microsemi Corporation
Descrición : POWER MOD IGBT FULL BRIDGE SP1
Serie : -
Estado da parte : Active
Tipo IGBT : Trench Field Stop
Configuración : Full Bridge Inverter
Tensión - Desglose do emisor do coleccionista (máximo) : 600V
Actual - Coleccionista (Ic) (máximo) : 100A
Potencia: máx : 250W
Vce (activado) (Máx.) @ Vge, Ic : 1.9V @ 15V, 75A
Actual - Corte do coleccionista (máximo) : 250µA
Capacitancia de entrada (Cies) @ Vce : 4.62nF @ 25V
Entrada : Standard
Termistor NTC : Yes
Temperatura de operación : -40°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaxe : Chassis Mount
Paquete / Estuche : SP1
Paquete de dispositivos de provedores : SP1