Número de peza :
APTGT75H60T1G
Fabricante :
Microsemi Corporation
Descrición :
POWER MOD IGBT FULL BRIDGE SP1
Tipo IGBT :
Trench Field Stop
Configuración :
Full Bridge Inverter
Tensión - Desglose do emisor do coleccionista (máximo) :
600V
Actual - Coleccionista (Ic) (máximo) :
100A
Vce (activado) (Máx.) @ Vge, Ic :
1.9V @ 15V, 75A
Actual - Corte do coleccionista (máximo) :
250µA
Capacitancia de entrada (Cies) @ Vce :
4.62nF @ 25V
Temperatura de operación :
-40°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Chassis Mount
Paquete de dispositivos de provedores :
SP1