Infineon Technologies - DF1000R17IE4BOSA1

KEY Part #: K6533655

DF1000R17IE4BOSA1 Prezos (USD) [168unidades de stock]

  • 1 pcs$273.90251

Número de peza:
DF1000R17IE4BOSA1
Fabricante:
Infineon Technologies
Descrición detallada:
IGBT MODULE 1700V 1000A.
Prazo de entrega estándar do fabricante:
En stock
Vida útil:
Un ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pago:
Forma de envío:
Categorías familiares:
KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Tiristores: TRIAC, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Diodos - Capacitancia variable (Varicaps, Varactor, Diodos: rectificadores de ponte, Tiristores: DIACs, SIDACs and Diodos - Zener - Single ...
Ventaxa competitiva:
We specialize in Infineon Technologies DF1000R17IE4BOSA1 electronic components. DF1000R17IE4BOSA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for DF1000R17IE4BOSA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

DF1000R17IE4BOSA1 Atributos do produto

Número de peza : DF1000R17IE4BOSA1
Fabricante : Infineon Technologies
Descrición : IGBT MODULE 1700V 1000A
Serie : -
Estado da parte : Active
Tipo IGBT : -
Configuración : Single
Tensión - Desglose do emisor do coleccionista (máximo) : 1700V
Actual - Coleccionista (Ic) (máximo) : -
Potencia: máx : 6250W
Vce (activado) (Máx.) @ Vge, Ic : 2.45V @ 15V, 1000A
Actual - Corte do coleccionista (máximo) : 5mA
Capacitancia de entrada (Cies) @ Vce : 81nF @ 25V
Entrada : Standard
Termistor NTC : Yes
Temperatura de operación : -40°C ~ 150°C
Tipo de montaxe : Chassis Mount
Paquete / Estuche : Module
Paquete de dispositivos de provedores : Module

Tamén pode estar interesado
  • VS-GT175DA120U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 1200V 288A 1087W SOT-227.

  • VS-CPV363M4KPBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    MOD IGBT 3PHASE INV 600V SIP.

  • VS-GT100NA120UX

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 1200V 134A 463W SOT-227.

  • VS-GT100LA120UX

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 1200V 134A 463W SOT-227.

  • VS-GT100DA60U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 600V 184A 577W SOT-227.

  • VS-GT100DA120U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 1200V 258A 893W SOT-227.