IRFD220PBF Prezos (USD) [76032unidades de stock]
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- Número de peza:
- IRFD220PBF
- Fabricante:
- Vishay Siliconix
- Descrición detallada:
- MOSFET N-CH 200V 800MA 4-DIP.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
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- Ventaxa competitiva:
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IRFD220PBF Atributos do produto
Número de peza :
IRFD220PBF
Fabricante :
Vishay Siliconix
Descrición :
MOSFET N-CH 200V 800MA 4-DIP
Serie :
-
Estado da parte :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
200V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
800mA (Ta)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
800 mOhm @ 480mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 250µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
14nC @ 10V
Vgs (máximo) :
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
260pF @ 25V
Función FET :
-
Disipación de potencia (máx.) :
1W (Ta)
Temperatura de operación :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Through Hole
Paquete de dispositivos de provedores :
4-DIP, Hexdip, HVMDIP
Paquete / Estuche :
4-DIP (0.300", 7.62mm)
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