Número de peza :
1N3070_T50R
Fabricante :
ON Semiconductor
Descrición :
DIODE GEN PURP 200V 500MA DO35
Estado da parte :
Obsolete
Tensión - Inversión CC (Vr) (Max) :
200V
Actual - Media rectificada (Io) :
500mA
Tensión - Adiante (Vf) (Máx.) @ Se :
1V @ 100mA
Velocidade :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo de recuperación inversa (trr) :
50ns
Actual - Fuga inversa @ Vr :
100nA @ 175V
Capacitancia @ Vr, F :
5pF @ 0V, 1MHz
Tipo de montaxe :
Through Hole
Paquete / Estuche :
DO-204AH, DO-35, Axial
Paquete de dispositivos de provedores :
DO-35
Temperatura de funcionamento: unión :
175°C (Max)