NXP USA Inc. - PHD82NQ03LT,118

KEY Part #: K6400142

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    Número de peza:
    PHD82NQ03LT,118
    Fabricante:
    NXP USA Inc.
    Descrición detallada:
    MOSFET N-CH 30V 75A DPAK.
    Prazo de entrega estándar do fabricante:
    En stock
    Vida útil:
    Un ano
    Chip De:
    Hong Kong
    RoHS:
    Forma de pago:
    Forma de envío:
    Categorías familiares:
    KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Transistores - IGBTs - Single, Tiristores: TRIAC, Tiristores: SCRs, Transistores - Bipolar (BJT) - Único, pre-sesgado, Diodos - RF, Transistores - Finalidade especial and Diodos: rectificadores de ponte ...
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    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    PHD82NQ03LT,118 Atributos do produto

    Número de peza : PHD82NQ03LT,118
    Fabricante : NXP USA Inc.
    Descrición : MOSFET N-CH 30V 75A DPAK
    Serie : TrenchMOS™
    Estado da parte : Obsolete
    Tipo FET : N-Channel
    Tecnoloxía : MOSFET (Metal Oxide)
    Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) : 30V
    Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C : 75A (Tc)
    Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) : 5V, 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 8 mOhm @ 25A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 1mA
    Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs : 16.7nC @ 5V
    Vgs (máximo) : ±20V
    Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds : 1620pF @ 25V
    Función FET : -
    Disipación de potencia (máx.) : 136W (Tc)
    Temperatura de operación : -55°C ~ 175°C (TJ)
    Tipo de montaxe : Surface Mount
    Paquete de dispositivos de provedores : DPAK
    Paquete / Estuche : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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