EPC2107ENGRT Prezos (USD) [107742unidades de stock]
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- Número de peza:
- EPC2107ENGRT
- Fabricante:
- EPC
- Descrición detallada:
- GAN TRANS 3N-CH 100V BUMPED DIE.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - IGBTs - Módulos, Diodos - RF, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Diodos - Rectificadores - Arrays, Tiristores: DIACs, SIDACs, Tiristores: TRIAC and Transistores - JFETs ...
- Ventaxa competitiva:
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EPC2107ENGRT Atributos do produto
Número de peza :
EPC2107ENGRT
Fabricante :
EPC
Descrición :
GAN TRANS 3N-CH 100V BUMPED DIE
Serie :
eGaN®
Estado da parte :
Active
Tipo FET :
3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap)
Función FET :
GaNFET (Gallium Nitride)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
100V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
1.7A, 500mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
320 mOhm @ 2A, 5V, 3.3 Ohm @ 2A, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.5V @ 100µA, 2.5V @ 20µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
0.16nC @ 5V, 0.044nC @ 5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
16pF @ 50V, 7pF @ 50V
Potencia: máx :
-
Temperatura de operación :
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete / Estuche :
9-VFBGA
Paquete de dispositivos de provedores :
9-BGA (1.35x1.35)
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- SI4501BDY-T1-GE3
- SQ3989EV-T1_GE3
- BSD340NH6327XTSA1