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- Número de peza:
- TPC8213-H(TE12LQ,M
- Fabricante:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Descrición detallada:
- MOSFET 2N-CH 60V 5A SOP8.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - Bipolar (BJT) - Individual, Transistores - Finalidade especial, Diodos - RF, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, previos, Transistores - Unión programable, Transistores - JFETs, Diodos - Zener - Single and Transistores - FETs, MOSFETs - Single ...
- Ventaxa competitiva:
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TPC8213-H(TE12LQ,M Atributos do produto
Número de peza :
TPC8213-H(TE12LQ,M
Fabricante :
Toshiba Semiconductor and Storage
Descrición :
MOSFET 2N-CH 60V 5A SOP8
Serie :
-
Estado da parte :
Obsolete
Tipo FET :
2 N-Channel (Dual)
Función FET :
Logic Level Gate
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
60V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
50 mOhm @ 2.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.3V @ 1mA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
11nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
625pF @ 10V
Potencia: máx :
450mW
Temperatura de operación :
150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete / Estuche :
8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
Paquete de dispositivos de provedores :
8-SOP (5.5x6.0)
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