DF11MR12W1M1B11BOMA1 Prezos (USD) [695unidades de stock]
- 1 pcs$66.80379
- Número de peza:
- DF11MR12W1M1B11BOMA1
- Fabricante:
- Infineon Technologies
- Descrición detallada:
- MOSFET MODULE 1200V 50A.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Diodos - Capacitancia variable (Varicaps, Varactor, Diodos - Zener - Arrays, Transistores - IGBTs - Módulos, Transistores - IGBTs - Arrays, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Transistores - Finalidade especial, Transistores - Bipolar (BJT) - Individual and Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, previos ...
- Ventaxa competitiva:
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DF11MR12W1M1B11BOMA1 Atributos do produto
Número de peza :
DF11MR12W1M1B11BOMA1
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrición :
MOSFET MODULE 1200V 50A
Serie :
CoolSiC™
Estado da parte :
Obsolete
Tipo FET :
2 N-Channel (Dual)
Función FET :
Silicon Carbide (SiC)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
1200V (1.2kV)
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
50A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
23 mOhm @ 50A, 15V
Vgs (th) (Max) @ Id :
5.5V @ 20mA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
125nC @ 5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
3950pF @ 800V
Potencia: máx :
20mW
Temperatura de operación :
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Chassis Mount
Paquete / Estuche :
Module
Paquete de dispositivos de provedores :
Module
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