Infineon Technologies - IRLL024NPBF

KEY Part #: K6411447

IRLL024NPBF Prezos (USD) [13788unidades de stock]

  • 1 pcs$0.34408
  • 10 pcs$0.29979
  • 100 pcs$0.23117
  • 500 pcs$0.17124
  • 1,000 pcs$0.13699

Número de peza:
IRLL024NPBF
Fabricante:
Infineon Technologies
Descrición detallada:
MOSFET N-CH 55V 3.1A SOT223.
Prazo de entrega estándar do fabricante:
En stock
Vida útil:
Un ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pago:
Forma de envío:
Categorías familiares:
KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - Finalidade especial, Transistores - IGBTs - Arrays, Transistores - IGBTs - Módulos, Tiristores: TRIAC, Tiristores - SCRs - Módulos, Diodos - Rectificadores - Solteiros, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays and Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, previos ...
Ventaxa competitiva:
We specialize in Infineon Technologies IRLL024NPBF electronic components. IRLL024NPBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRLL024NPBF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IRLL024NPBF Atributos do produto

Número de peza : IRLL024NPBF
Fabricante : Infineon Technologies
Descrición : MOSFET N-CH 55V 3.1A SOT223
Serie : HEXFET®
Estado da parte : Discontinued at Digi-Key
Tipo FET : N-Channel
Tecnoloxía : MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) : 55V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C : 3.1A (Ta)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) : 4V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 65 mOhm @ 3.1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 250µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs : 15.6nC @ 5V
Vgs (máximo) : ±16V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds : 510pF @ 25V
Función FET : -
Disipación de potencia (máx.) : 1W (Ta)
Temperatura de operación : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe : Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores : SOT-223
Paquete / Estuche : TO-261-4, TO-261AA