Toshiba Semiconductor and Storage - 2SJ377(TE16R1,NQ)

KEY Part #: K6411420

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    Número de peza:
    2SJ377(TE16R1,NQ)
    Fabricante:
    Toshiba Semiconductor and Storage
    Descrición detallada:
    MOSFET P-CH 60V 5A PW-MOLD.
    Prazo de entrega estándar do fabricante:
    En stock
    Vida útil:
    Un ano
    Chip De:
    Hong Kong
    RoHS:
    Forma de pago:
    Forma de envío:
    Categorías familiares:
    KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - IGBTs - Single, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Transistores - JFETs, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Tiristores - SCRs - Módulos, Tiristores: TRIAC, Transistores - Finalidade especial and Módulos de controlador de enerxía ...
    Ventaxa competitiva:
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    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    2SJ377(TE16R1,NQ) Atributos do produto

    Número de peza : 2SJ377(TE16R1,NQ)
    Fabricante : Toshiba Semiconductor and Storage
    Descrición : MOSFET P-CH 60V 5A PW-MOLD
    Serie : -
    Estado da parte : Active
    Tipo FET : P-Channel
    Tecnoloxía : MOSFET (Metal Oxide)
    Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) : 60V
    Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C : 5A (Ta)
    Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) : 4V, 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 190 mOhm @ 2.5A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 1mA
    Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs : 22nC @ 10V
    Vgs (máximo) : ±20V
    Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds : 630pF @ 10V
    Función FET : -
    Disipación de potencia (máx.) : 20W (Tc)
    Temperatura de operación : 150°C (TJ)
    Tipo de montaxe : Surface Mount
    Paquete de dispositivos de provedores : PW-MOLD
    Paquete / Estuche : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63