FDI9406-F085 Prezos (USD) [38165unidades de stock]
- 1 pcs$1.02449
- Número de peza:
- FDI9406-F085
- Fabricante:
- ON Semiconductor
- Descrición detallada:
- MOSFET N-CH 40V 110A TO262AB.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, Diodos: rectificadores de ponte, Transistores - IGBTs - Arrays, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Transistores - Bipolar (BJT) - Único, pre-sesgado, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Tiristores: SCRs and Transistores - Unión programable ...
- Ventaxa competitiva:
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FDI9406-F085 Atributos do produto
Número de peza :
FDI9406-F085
Fabricante :
ON Semiconductor
Descrición :
MOSFET N-CH 40V 110A TO262AB
Serie :
Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®
Estado da parte :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
40V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
110A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
2.2 mOhm @ 80A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 250µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
138nC @ 10V
Vgs (máximo) :
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
7710pF @ 25V
Función FET :
-
Disipación de potencia (máx.) :
176W (Tj)
Temperatura de operación :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Through Hole
Paquete de dispositivos de provedores :
I2PAK (TO-262)
Paquete / Estuche :
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
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