Número de peza :
APTGTQ200A65T3G
Fabricante :
Microsemi Corporation
Descrición :
POWER MODULE - IGBT
Configuración :
Half Bridge
Tensión - Desglose do emisor do coleccionista (máximo) :
650V
Actual - Coleccionista (Ic) (máximo) :
200A
Vce (activado) (Máx.) @ Vge, Ic :
2.2V @ 15V, 200A
Actual - Corte do coleccionista (máximo) :
200µA
Capacitancia de entrada (Cies) @ Vce :
12nF @ 25V
Temperatura de operación :
-40°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Chassis Mount
Paquete / Estuche :
Module
Paquete de dispositivos de provedores :
SP3F