Infineon Technologies - FZ1200R17HE4PHPSA1

KEY Part #: K6533598

FZ1200R17HE4PHPSA1 Prezos (USD) [137unidades de stock]

  • 1 pcs$335.66304

Número de peza:
FZ1200R17HE4PHPSA1
Fabricante:
Infineon Technologies
Descrición detallada:
MODULE IGBT IHMB130-2.
Prazo de entrega estándar do fabricante:
En stock
Vida útil:
Un ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pago:
Forma de envío:
Categorías familiares:
KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Diodos - Rectificadores - Solteiros, Transistores - Unión programable, Diodos - RF, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Diodos - Capacitancia variable (Varicaps, Varactor, Módulos de controlador de enerxía and Transistores - Bipolar (BJT) - Individual ...
Ventaxa competitiva:
We specialize in Infineon Technologies FZ1200R17HE4PHPSA1 electronic components. FZ1200R17HE4PHPSA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FZ1200R17HE4PHPSA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FZ1200R17HE4PHPSA1 Atributos do produto

Número de peza : FZ1200R17HE4PHPSA1
Fabricante : Infineon Technologies
Descrición : MODULE IGBT IHMB130-2
Serie : -
Estado da parte : Active
Tipo IGBT : Trench Field Stop
Configuración : Single Switch
Tensión - Desglose do emisor do coleccionista (máximo) : 1700V
Actual - Coleccionista (Ic) (máximo) : 1200A
Potencia: máx : -
Vce (activado) (Máx.) @ Vge, Ic : 2.3V @ 15V, 1200A
Actual - Corte do coleccionista (máximo) : 5mA
Capacitancia de entrada (Cies) @ Vce : 97nF @ 25V
Entrada : Standard
Termistor NTC : No
Temperatura de operación : -40°C ~ 150°C
Tipo de montaxe : Chassis Mount
Paquete / Estuche : Module
Paquete de dispositivos de provedores : Module

Tamén pode estar interesado
  • VS-GT175DA120U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 1200V 288A 1087W SOT-227.

  • VS-CPV363M4KPBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    MOD IGBT 3PHASE INV 600V SIP.

  • VS-GT105LA120UX

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 1200V 105A LS CHOP SOT-227.

  • VS-GT100NA120UX

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 1200V 134A 463W SOT-227.

  • VS-GT100LA120UX

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 1200V 134A 463W SOT-227.

  • VS-GT100DA60U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 600V 184A 577W SOT-227.