SI8900EDB-T2-E1 Prezos (USD) [54394unidades de stock]
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- Número de peza:
- SI8900EDB-T2-E1
- Fabricante:
- Vishay Siliconix
- Descrición detallada:
- MOSFET 2N-CH 20V 5.4A 10-MFP.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Tiristores - SCRs - Módulos, Diodos: rectificadores de ponte, Diodos - Capacitancia variable (Varicaps, Varactor, Diodos - Rectificadores - Arrays, Diodos - Rectificadores - Solteiros, Diodos - RF, Transistores - IGBTs - Arrays and Transistores - Bipolar (BJT) - Individual ...
- Ventaxa competitiva:
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SI8900EDB-T2-E1 Atributos do produto
Número de peza :
SI8900EDB-T2-E1
Fabricante :
Vishay Siliconix
Descrición :
MOSFET 2N-CH 20V 5.4A 10-MFP
Serie :
TrenchFET®
Estado da parte :
Active
Tipo FET :
2 N-Channel (Dual) Common Drain
Función FET :
Logic Level Gate
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
20V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
5.4A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
-
Vgs (th) (Max) @ Id :
1V @ 1.1mA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
-
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
-
Potencia: máx :
1W
Temperatura de operación :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete / Estuche :
10-UFBGA, CSPBGA
Paquete de dispositivos de provedores :
10-Micro Foot™ CSP (2x5)
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