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- Número de peza:
- ZXMN6A11DN8TC
- Fabricante:
- Diodes Incorporated
- Descrición detallada:
- MOSFET 2N-CH 60V 2.5A 8SOIC.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - JFETs, Diodos - RF, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistores - Bipolar (BJT) - Único, pre-sesgado, Tiristores: SCRs, Módulos de controlador de enerxía and Diodos - Rectificadores - Arrays ...
- Ventaxa competitiva:
- We specialize in Diodes Incorporated ZXMN6A11DN8TC electronic components. ZXMN6A11DN8TC can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for ZXMN6A11DN8TC, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
ZXMN6A11DN8TC Atributos do produto
Número de peza :
ZXMN6A11DN8TC
Fabricante :
Diodes Incorporated
Descrición :
MOSFET 2N-CH 60V 2.5A 8SOIC
Serie :
-
Estado da parte :
Obsolete
Tipo FET :
2 N-Channel (Dual)
Función FET :
Logic Level Gate
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
60V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
2.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
120 mOhm @ 2.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1V @ 250µA (Min)
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
5.7nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
330pF @ 40V
Potencia: máx :
1.8W
Temperatura de operación :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete / Estuche :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Paquete de dispositivos de provedores :
8-SOP
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