Número de peza :
CLH01(TE16R,Q)
Fabricante :
Toshiba Semiconductor and Storage
Descrición :
DIODE GEN PURP 200V 3A L-FLAT
Estado da parte :
Obsolete
Tensión - Inversión CC (Vr) (Max) :
200V
Actual - Media rectificada (Io) :
3A (DC)
Tensión - Adiante (Vf) (Máx.) @ Se :
0.98V @ 3A
Velocidade :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo de recuperación inversa (trr) :
35ns
Actual - Fuga inversa @ Vr :
10µA @ 200V
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete / Estuche :
L-FLAT™
Paquete de dispositivos de provedores :
L-FLAT™ (4x5.5)
Temperatura de funcionamento: unión :
-40°C ~ 150°C