Vishay Semiconductor Diodes Division - VS-8EWF04S-M3

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Número de peza:
VS-8EWF04S-M3
Fabricante:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Descrición detallada:
DIODE GEN PURP 400V 8A TO252AA. Diodes - General Purpose, Power, Switching New Input Diodes - D-PAK-e3
Prazo de entrega estándar do fabricante:
En stock
Vida útil:
Un ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pago:
Forma de envío:
Categorías familiares:
KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - Finalidade especial, Tiristores - SCRs - Módulos, Diodos - Rectificadores - Arrays, Módulos de controlador de enerxía, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Tiristores: SCRs, Transistores - FETs, MOSFETs - RF and Transistores - Bipolar (BJT) - Individual ...
Ventaxa competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

VS-8EWF04S-M3 Atributos do produto

Número de peza : VS-8EWF04S-M3
Fabricante : Vishay Semiconductor Diodes Division
Descrición : DIODE GEN PURP 400V 8A TO252AA
Serie : -
Estado da parte : Active
Tipo de diodo : Standard
Tensión - Inversión CC (Vr) (Max) : 400V
Actual - Media rectificada (Io) : 8A
Tensión - Adiante (Vf) (Máx.) @ Se : 1.2V @ 8A
Velocidade : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo de recuperación inversa (trr) : 55ns
Actual - Fuga inversa @ Vr : 100µA @ 400V
Capacitancia @ Vr, F : -
Tipo de montaxe : Surface Mount
Paquete / Estuche : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Paquete de dispositivos de provedores : D-PAK (TO-252AA)
Temperatura de funcionamento: unión : -40°C ~ 150°C

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