Vishay Siliconix - SIHU3N50D-E3

KEY Part #: K6393601

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Número de peza:
SIHU3N50D-E3
Fabricante:
Vishay Siliconix
Descrición detallada:
MOSFET N-CH 500V 3A TO251 IPAK.
Prazo de entrega estándar do fabricante:
En stock
Vida útil:
Un ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pago:
Forma de envío:
Categorías familiares:
KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Tiristores: TRIAC, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Transistores - IGBTs - Módulos, Diodos: rectificadores de ponte, Diodos - Capacitancia variable (Varicaps, Varactor, Diodos - Rectificadores - Arrays, Tiristores - SCRs - Módulos and Transistores - FETs, MOSFETs - Single ...
Ventaxa competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SIHU3N50D-E3 Atributos do produto

Número de peza : SIHU3N50D-E3
Fabricante : Vishay Siliconix
Descrición : MOSFET N-CH 500V 3A TO251 IPAK
Serie : -
Estado da parte : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnoloxía : MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) : 500V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C : 3A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 3.2 Ohm @ 2.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 250µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs : 12nC @ 10V
Vgs (máximo) : ±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds : 175pF @ 100V
Función FET : -
Disipación de potencia (máx.) : 69W (Tc)
Temperatura de operación : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe : Through Hole
Paquete de dispositivos de provedores : TO-251AA
Paquete / Estuche : TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

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