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- Número de peza:
- VS-GT400TH120N
- Fabricante:
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- Descrición detallada:
- IGBT 1200V 600A 2119W DIAP.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Módulos de controlador de enerxía, Transistores - IGBTs - Módulos, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Diodos - Rectificadores - Arrays, Diodos - Rectificadores - Solteiros, Transistores - Bipolar (BJT) - Único, pre-sesgado, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, previos and Tiristores - SCRs - Módulos ...
- Ventaxa competitiva:
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VS-GT400TH120N Atributos do produto
Número de peza :
VS-GT400TH120N
Fabricante :
Vishay Semiconductor Diodes Division
Descrición :
IGBT 1200V 600A 2119W DIAP
Serie :
-
Estado da parte :
Obsolete
Tipo IGBT :
Trench
Configuración :
Half Bridge
Tensión - Desglose do emisor do coleccionista (máximo) :
1200V
Actual - Coleccionista (Ic) (máximo) :
600A
Potencia: máx :
2119W
Vce (activado) (Máx.) @ Vge, Ic :
2.15V @ 15V, 400A
Actual - Corte do coleccionista (máximo) :
5mA
Capacitancia de entrada (Cies) @ Vce :
28.8nF @ 25V
Entrada :
Standard
Termistor NTC :
No
Temperatura de operación :
150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Chassis Mount
Paquete / Estuche :
Double INT-A-PAK (3 + 8)
Paquete de dispositivos de provedores :
Double INT-A-PAK
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