Número de peza :
IPA65R065C7XKSA1
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrición :
MOSFET N-CH 650V TO220-3
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
650V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
15A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
65 mOhm @ 17.1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 850µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
64nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
3020pF @ 400V
Disipación de potencia (máx.) :
34W (Tc)
Temperatura de operación :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Through Hole
Paquete de dispositivos de provedores :
PG-TO220-FP
Paquete / Estuche :
TO-220-3 Full Pack