Infineon Technologies - IPA65R065C7XKSA1

KEY Part #: K6416735

IPA65R065C7XKSA1 Prezos (USD) [17816unidades de stock]

  • 1 pcs$2.45326
  • 500 pcs$2.44105

Número de peza:
IPA65R065C7XKSA1
Fabricante:
Infineon Technologies
Descrición detallada:
MOSFET N-CH 650V TO220-3.
Prazo de entrega estándar do fabricante:
En stock
Vida útil:
Un ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pago:
Forma de envío:
Categorías familiares:
KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Diodos - Rectificadores - Arrays, Diodos - Zener - Single, Transistores - IGBTs - Single, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Diodos - Rectificadores - Solteiros, Diodos - Zener - Arrays, Transistores - Unión programable and Diodos - RF ...
Ventaxa competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPA65R065C7XKSA1 Atributos do produto

Número de peza : IPA65R065C7XKSA1
Fabricante : Infineon Technologies
Descrición : MOSFET N-CH 650V TO220-3
Serie : CoolMOS™ C7
Estado da parte : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnoloxía : MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) : 650V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C : 15A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 65 mOhm @ 17.1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 850µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs : 64nC @ 10V
Vgs (máximo) : ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds : 3020pF @ 400V
Función FET : -
Disipación de potencia (máx.) : 34W (Tc)
Temperatura de operación : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe : Through Hole
Paquete de dispositivos de provedores : PG-TO220-FP
Paquete / Estuche : TO-220-3 Full Pack

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