FQB4N80TM Prezos (USD) [102947unidades de stock]
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- Número de peza:
- FQB4N80TM
- Fabricante:
- ON Semiconductor
- Descrición detallada:
- MOSFET N-CH 800V 3.9A D2PAK.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Transistores - Bipolar (BJT) - Individual, Diodos - Rectificadores - Solteiros, Transistores - IGBTs - Arrays, Tiristores - SCRs - Módulos, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Transistores - IGBTs - Módulos and Transistores - Unión programable ...
- Ventaxa competitiva:
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FQB4N80TM Atributos do produto
Número de peza :
FQB4N80TM
Fabricante :
ON Semiconductor
Descrición :
MOSFET N-CH 800V 3.9A D2PAK
Serie :
QFET®
Estado da parte :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
800V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
3.9A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
3.6 Ohm @ 1.95A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
5V @ 250µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
25nC @ 10V
Vgs (máximo) :
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
880pF @ 25V
Función FET :
-
Disipación de potencia (máx.) :
3.13W (Ta), 130W (Tc)
Temperatura de operación :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores :
D²PAK (TO-263AB)
Paquete / Estuche :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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