Número de peza :
IRL80HS120
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrición :
MOSFET N-CH 80V 12.5A 6PQFN
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
80V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
12.5A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
32 mOhm @ 7.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2V @ 10µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
7nC @ 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
540pF @ 25V
Disipación de potencia (máx.) :
11.5W (Tc)
Temperatura de operación :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores :
6-PQFN (2x2)
Paquete / Estuche :
6-VDFN Exposed Pad