STH185N10F3-6 Prezos (USD) [30216unidades de stock]
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- Número de peza:
- STH185N10F3-6
- Fabricante:
- STMicroelectronics
- Descrición detallada:
- MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK-6.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
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- Categorías familiares:
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STH185N10F3-6 Atributos do produto
Número de peza :
STH185N10F3-6
Fabricante :
STMicroelectronics
Descrición :
MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK-6
Serie :
Automotive, AEC-Q101, STripFET™ F3
Estado da parte :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
100V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
180A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
4.5 mOhm @ 60A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 250µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
114.6nC @ 10V
Vgs (máximo) :
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
6665pF @ 25V
Función FET :
-
Disipación de potencia (máx.) :
315W (Tc)
Temperatura de operación :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores :
H2PAK-6
Paquete / Estuche :
TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
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