Diodes Incorporated - DMN3300U-7

KEY Part #: K6417563

DMN3300U-7 Prezos (USD) [618813unidades de stock]

  • 1 pcs$0.07116
  • 3,000 pcs$0.07081

Número de peza:
DMN3300U-7
Fabricante:
Diodes Incorporated
Descrición detallada:
MOSFET N-CH 30V 2A SOT23-3.
Prazo de entrega estándar do fabricante:
En stock
Vida útil:
Un ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pago:
Forma de envío:
Categorías familiares:
KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Tiristores - SCRs - Módulos, Diodos - RF, Transistores - IGBTs - Single, Diodos - Zener - Arrays, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Tiristores: DIACs, SIDACs, Módulos de controlador de enerxía and Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays ...
Ventaxa competitiva:
We specialize in Diodes Incorporated DMN3300U-7 electronic components. DMN3300U-7 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for DMN3300U-7, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

DMN3300U-7 Atributos do produto

Número de peza : DMN3300U-7
Fabricante : Diodes Incorporated
Descrición : MOSFET N-CH 30V 2A SOT23-3
Serie : -
Estado da parte : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnoloxía : MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) : 30V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C : 2A (Ta)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) : 1.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 150 mOhm @ 4.5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 250µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs : -
Vgs (máximo) : ±12V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds : 193pF @ 10V
Función FET : -
Disipación de potencia (máx.) : 700mW (Ta)
Temperatura de operación : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe : Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores : SOT-23-3
Paquete / Estuche : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Tamén pode estar interesado