IXFN360N10T Prezos (USD) [4454unidades de stock]
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- 25 pcs$8.58569
- 100 pcs$7.50464
- 250 pcs$6.84247
- 500 pcs$6.40102
- Número de peza:
- IXFN360N10T
- Fabricante:
- IXYS
- Descrición detallada:
- MOSFET N-CH 100V 360A SOT-227B.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
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- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - JFETs, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Diodos - RF, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, previos, Diodos - Zener - Arrays, Transistores - IGBTs - Arrays, Transistores - Bipolar (BJT) - Individual and Diodos: rectificadores de ponte ...
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IXFN360N10T Atributos do produto
Número de peza :
IXFN360N10T
Fabricante :
IXYS
Descrición :
MOSFET N-CH 100V 360A SOT-227B
Serie :
HiPerFET™
Estado da parte :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
100V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
360A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
2.6 mOhm @ 180A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4.5V @ 250µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
505nC @ 10V
Vgs (máximo) :
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
36000pF @ 25V
Función FET :
-
Disipación de potencia (máx.) :
830W (Tc)
Temperatura de operación :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Chassis Mount
Paquete de dispositivos de provedores :
SOT-227B
Paquete / Estuche :
SOT-227-4, miniBLOC
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