IPB031NE7N3GATMA1 Prezos (USD) [54322unidades de stock]
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- Número de peza:
- IPB031NE7N3GATMA1
- Fabricante:
- Infineon Technologies
- Descrición detallada:
- MOSFET N-CH 75V 100A TO263-3.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - Bipolar (BJT) - Único, pre-sesgado, Módulos de controlador de enerxía, Transistores - IGBTs - Módulos, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Transistores - IGBTs - Arrays, Tiristores - SCRs - Módulos, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays and Diodos - Rectificadores - Arrays ...
- Ventaxa competitiva:
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IPB031NE7N3GATMA1 Atributos do produto
Número de peza :
IPB031NE7N3GATMA1
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrición :
MOSFET N-CH 75V 100A TO263-3
Serie :
OptiMOS™
Estado da parte :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
75V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
100A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
3.1 mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3.8V @ 155µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
117nC @ 10V
Vgs (máximo) :
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
8130pF @ 37.5V
Función FET :
-
Disipación de potencia (máx.) :
214W (Tc)
Temperatura de operación :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores :
PG-TO263-3-2
Paquete / Estuche :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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