Renesas Electronics America - RJK0332DPB-01#J0

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Número de peza:
RJK0332DPB-01#J0
Fabricante:
Renesas Electronics America
Descrición detallada:
MOSFET N-CH 30V 35A LFPAK.
Prazo de entrega estándar do fabricante:
En stock
Vida útil:
Un ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pago:
Forma de envío:
Categorías familiares:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

RJK0332DPB-01#J0 Atributos do produto

Número de peza : RJK0332DPB-01#J0
Fabricante : Renesas Electronics America
Descrición : MOSFET N-CH 30V 35A LFPAK
Serie : -
Estado da parte : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnoloxía : MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) : 30V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C : 35A (Ta)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 4.7 mOhm @ 17.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 1mA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs : 14nC @ 4.5V
Vgs (máximo) : ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds : 2180pF @ 10V
Función FET : -
Disipación de potencia (máx.) : 45W (Tc)
Temperatura de operación : 150°C (TJ)
Tipo de montaxe : Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores : LFPAK
Paquete / Estuche : SC-100, SOT-669

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