ZXMN2A03E6TA Prezos (USD) [248099unidades de stock]
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- Número de peza:
- ZXMN2A03E6TA
- Fabricante:
- Diodes Incorporated
- Descrición detallada:
- MOSFET N-CH 20V 3.6A SOT-23-6.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
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- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Diodos - Capacitancia variable (Varicaps, Varactor, Transistores - Unión programable, Tiristores - SCRs - Módulos, Diodos - Zener - Arrays, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Tiristores: DIACs, SIDACs and Transistores - IGBTs - Single ...
- Ventaxa competitiva:
- We specialize in Diodes Incorporated ZXMN2A03E6TA electronic components. ZXMN2A03E6TA can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for ZXMN2A03E6TA, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
ZXMN2A03E6TA Atributos do produto
Número de peza :
ZXMN2A03E6TA
Fabricante :
Diodes Incorporated
Descrición :
MOSFET N-CH 20V 3.6A SOT-23-6
Serie :
-
Estado da parte :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
20V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
3.7A (Ta)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
55 mOhm @ 7.2A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
700mV @ 250µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
8.2nC @ 4.5V
Vgs (máximo) :
±12V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
837pF @ 10V
Función FET :
-
Disipación de potencia (máx.) :
1.1W (Ta)
Temperatura de operación :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores :
SOT-23-6
Paquete / Estuche :
SOT-23-6
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