JANTXV1N5806US Prezos (USD) [7408unidades de stock]
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- Número de peza:
- JANTXV1N5806US
- Fabricante:
- Microsemi Corporation
- Descrición detallada:
- DIODE GEN PURP 150V 1A D5A. ESD Suppressors / TVS Diodes D MET 2.5A SFST 150V HRV 2FFTV
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Tiristores: TRIAC, Tiristores: SCRs, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, previos, Transistores - IGBTs - Arrays, Transistores - Unión programable, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays and Tiristores: DIACs, SIDACs ...
- Ventaxa competitiva:
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JANTXV1N5806US Atributos do produto
Número de peza :
JANTXV1N5806US
Fabricante :
Microsemi Corporation
Descrición :
DIODE GEN PURP 150V 1A D5A
Serie :
Military, MIL-PRF-19500/477
Estado da parte :
Active
Tipo de diodo :
Standard
Tensión - Inversión CC (Vr) (Max) :
150V
Actual - Media rectificada (Io) :
1A
Tensión - Adiante (Vf) (Máx.) @ Se :
875mV @ 1A
Velocidade :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo de recuperación inversa (trr) :
25ns
Actual - Fuga inversa @ Vr :
1µA @ 150V
Capacitancia @ Vr, F :
25pF @ 10V, 1MHz
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete / Estuche :
SQ-MELF, A
Paquete de dispositivos de provedores :
D-5A
Temperatura de funcionamento: unión :
-65°C ~ 175°C
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- VSKE320-20
- S25120
- IRD3909
- DL4935-13
- SR102-T
- SF12-AP
- FES16CT-E3/45
- ESH1PDHM3/84A
- RB060MM-40TR
- GL41GHE3/97
- RF081M2STR