Vishay Semiconductor Diodes Division - SS1FH10-M3/I

KEY Part #: K6432945

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Número de peza:
SS1FH10-M3/I
Fabricante:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Descrición detallada:
DIODE SCHOTTKY 100V 1A DO-219AB. Schottky Diodes & Rectifiers If 1A Vrrm 100V DO-219AB Ifsm 40A
Prazo de entrega estándar do fabricante:
En stock
Vida útil:
Un ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pago:
Forma de envío:
Categorías familiares:
KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Tiristores: SCRs, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, previos, Transistores - Bipolar (BJT) - Individual, Transistores - Bipolar (BJT) - Único, pre-sesgado, Tiristores - SCRs - Módulos, Tiristores: DIACs, SIDACs, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays and Transistores - IGBTs - Módulos ...
Ventaxa competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SS1FH10-M3/I Atributos do produto

Número de peza : SS1FH10-M3/I
Fabricante : Vishay Semiconductor Diodes Division
Descrición : DIODE SCHOTTKY 100V 1A DO-219AB
Serie : Automotive, AEC-Q101, eSMP®
Estado da parte : Active
Tipo de diodo : Schottky
Tensión - Inversión CC (Vr) (Max) : 100V
Actual - Media rectificada (Io) : 1A
Tensión - Adiante (Vf) (Máx.) @ Se : 800mV @ 1A
Velocidade : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo de recuperación inversa (trr) : -
Actual - Fuga inversa @ Vr : 5µA @ 100V
Capacitancia @ Vr, F : 70pF @ 4V, 1MHz
Tipo de montaxe : Surface Mount
Paquete / Estuche : DO-219AB
Paquete de dispositivos de provedores : DO-219AB (SMF)
Temperatura de funcionamento: unión : -55°C ~ 175°C

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