Número de peza :
1N6073US
Fabricante :
Microsemi Corporation
Descrición :
DIODE GEN PURP 50V 3A D5A
Tensión - Inversión CC (Vr) (Max) :
50V
Actual - Media rectificada (Io) :
3A
Tensión - Adiante (Vf) (Máx.) @ Se :
2.04V @ 9.4A
Velocidade :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo de recuperación inversa (trr) :
30ns
Actual - Fuga inversa @ Vr :
1µA @ 50V
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete / Estuche :
SQ-MELF, A
Paquete de dispositivos de provedores :
D-5A
Temperatura de funcionamento: unión :
-65°C ~ 155°C