[1748unidades de stock]
- Número de peza:
- US1AHE3/5AT
- Fabricante:
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- Descrición detallada:
- DIODE GEN PURP 50V 1A DO214AC.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Diodos - Rectificadores - Solteiros, Diodos - RF, Transistores - Bipolar (BJT) - Individual, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, previos, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, Transistores - Unión programable and Diodos - Zener - Single ...
- Ventaxa competitiva:
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US1AHE3/5AT Atributos do produto
Número de peza :
US1AHE3/5AT
Fabricante :
Vishay Semiconductor Diodes Division
Descrición :
DIODE GEN PURP 50V 1A DO214AC
Serie :
-
Estado da parte :
Obsolete
Tipo de diodo :
Standard
Tensión - Inversión CC (Vr) (Max) :
50V
Actual - Media rectificada (Io) :
1A
Tensión - Adiante (Vf) (Máx.) @ Se :
1V @ 1A
Velocidade :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo de recuperación inversa (trr) :
50ns
Actual - Fuga inversa @ Vr :
10µA @ 50V
Capacitancia @ Vr, F :
15pF @ 4V, 1MHz
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete / Estuche :
DO-214AC, SMA
Paquete de dispositivos de provedores :
DO-214AC (SMA)
Temperatura de funcionamento: unión :
-55°C ~ 150°C
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