V12P12HM3_A/I Prezos (USD) [264453unidades de stock]
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- Número de peza:
- V12P12HM3_A/I
- Fabricante:
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- Descrición detallada:
- DIODE SCHOTTKY 120V 3.9A TO277A. Schottky Diodes & Rectifiers 12A, 120V, SMPC, TRENCH SKY RECT.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistores - Bipolar (BJT) - Único, pre-sesgado, Transistores - Finalidade especial, Transistores - IGBTs - Arrays, Módulos de controlador de enerxía, Transistores - Bipolar (BJT) - RF and Transistores - IGBTs - Módulos ...
- Ventaxa competitiva:
- We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division V12P12HM3_A/I electronic components. V12P12HM3_A/I can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for V12P12HM3_A/I, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
V12P12HM3_A/I Atributos do produto
Número de peza :
V12P12HM3_A/I
Fabricante :
Vishay Semiconductor Diodes Division
Descrición :
DIODE SCHOTTKY 120V 3.9A TO277A
Serie :
Automotive, AEC-Q101, eSMP®, TMBS®
Estado da parte :
Active
Tipo de diodo :
Schottky
Tensión - Inversión CC (Vr) (Max) :
120V
Actual - Media rectificada (Io) :
3.9A
Tensión - Adiante (Vf) (Máx.) @ Se :
830mV @ 10A
Velocidade :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo de recuperación inversa (trr) :
-
Actual - Fuga inversa @ Vr :
400µA @ 120V
Capacitancia @ Vr, F :
-
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete / Estuche :
TO-277, 3-PowerDFN
Paquete de dispositivos de provedores :
TO-277A (SMPC)
Temperatura de funcionamento: unión :
-40°C ~ 150°C
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- 1N4003 BK
- IRD3CH31DB6
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- 1N5622GP-E3/73
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- 2A02-T
- STTH10R04G
- FFPF04U150STU
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