Taiwan Semiconductor Corporation - SFAF808GHC0G

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SFAF808GHC0G Prezos (USD) [267202unidades de stock]

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Número de peza:
SFAF808GHC0G
Fabricante:
Taiwan Semiconductor Corporation
Descrición detallada:
DIODE GEN PURP 600V 8A ITO220AC.
Prazo de entrega estándar do fabricante:
En stock
Vida útil:
Un ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pago:
Forma de envío:
Categorías familiares:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SFAF808GHC0G Atributos do produto

Número de peza : SFAF808GHC0G
Fabricante : Taiwan Semiconductor Corporation
Descrición : DIODE GEN PURP 600V 8A ITO220AC
Serie : Automotive, AEC-Q101
Estado da parte : Active
Tipo de diodo : Standard
Tensión - Inversión CC (Vr) (Max) : 600V
Actual - Media rectificada (Io) : 8A
Tensión - Adiante (Vf) (Máx.) @ Se : 1.7V @ 8A
Velocidade : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo de recuperación inversa (trr) : 35ns
Actual - Fuga inversa @ Vr : 10µA @ 600V
Capacitancia @ Vr, F : 60pF @ 4V, 1MHz
Tipo de montaxe : Through Hole
Paquete / Estuche : TO-220-2 Full Pack
Paquete de dispositivos de provedores : ITO-220AC
Temperatura de funcionamento: unión : -55°C ~ 150°C

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