Microsemi Corporation - APTM100DSK35T3G

KEY Part #: K6522618

APTM100DSK35T3G Prezos (USD) [1598unidades de stock]

  • 1 pcs$27.22101
  • 100 pcs$27.08558

Número de peza:
APTM100DSK35T3G
Fabricante:
Microsemi Corporation
Descrición detallada:
MOSFET 2N-CH 1000V 22A SP3.
Prazo de entrega estándar do fabricante:
En stock
Vida útil:
Un ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pago:
Forma de envío:
Categorías familiares:
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Ventaxa competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

APTM100DSK35T3G Atributos do produto

Número de peza : APTM100DSK35T3G
Fabricante : Microsemi Corporation
Descrición : MOSFET 2N-CH 1000V 22A SP3
Serie : -
Estado da parte : Active
Tipo FET : 2 N-Channel (Dual)
Función FET : Standard
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) : 1000V (1kV)
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C : 22A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 420 mOhm @ 11A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 2.5mA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs : 186nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds : 5200pF @ 25V
Potencia: máx : 390W
Temperatura de operación : -40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe : Chassis Mount
Paquete / Estuche : SP3
Paquete de dispositivos de provedores : SP3

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