Número de peza :
FDMS3662
Fabricante :
ON Semiconductor
Descrición :
MOSFET N-CH 100V 8.9A POWER56
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
100V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
8.9A (Ta), 49A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
14.8 mOhm @ 8.9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4.5V @ 250µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
75nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
4620pF @ 50V
Disipación de potencia (máx.) :
2.5W (Ta), 104W (Tc)
Temperatura de operación :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores :
8-PQFN (5x6)
Paquete / Estuche :
8-PowerTDFN