Vishay Semiconductor Diodes Division - SE40PJ-M3/87A

KEY Part #: K6457381

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Número de peza:
SE40PJ-M3/87A
Fabricante:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Descrición detallada:
DIODE GEN PURP 600V 2.4A TO277A. Rectifiers 4A, 600V, ESD PROTECTION, SM
Prazo de entrega estándar do fabricante:
En stock
Vida útil:
Un ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pago:
Forma de envío:
Categorías familiares:
KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - Unión programable, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, Transistores - Finalidade especial, Tiristores - SCRs - Módulos, Tiristores: DIACs, SIDACs, Diodos - Zener - Arrays, Transistores - FETs, MOSFETs - Single and Transistores - FETs, MOSFETs - RF ...
Ventaxa competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SE40PJ-M3/87A Atributos do produto

Número de peza : SE40PJ-M3/87A
Fabricante : Vishay Semiconductor Diodes Division
Descrición : DIODE GEN PURP 600V 2.4A TO277A
Serie : Automotive, AEC-Q101
Estado da parte : Active
Tipo de diodo : Standard
Tensión - Inversión CC (Vr) (Max) : 600V
Actual - Media rectificada (Io) : 2.4A (DC)
Tensión - Adiante (Vf) (Máx.) @ Se : 1.05V @ 4A
Velocidade : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Tempo de recuperación inversa (trr) : 2.2µs
Actual - Fuga inversa @ Vr : 10µA @ 400V
Capacitancia @ Vr, F : 28pF @ 4V, 1MHz
Tipo de montaxe : Surface Mount
Paquete / Estuche : TO-277, 3-PowerDFN
Paquete de dispositivos de provedores : TO-277A (SMPC)
Temperatura de funcionamento: unión : -55°C ~ 175°C

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