Vishay Siliconix - IRFD214PBF

KEY Part #: K6392918

IRFD214PBF Prezos (USD) [151819unidades de stock]

  • 1 pcs$0.24485
  • 2,500 pcs$0.24363

Número de peza:
IRFD214PBF
Fabricante:
Vishay Siliconix
Descrición detallada:
MOSFET N-CH 250V 450MA 4-DIP.
Prazo de entrega estándar do fabricante:
En stock
Vida útil:
Un ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pago:
Forma de envío:
Categorías familiares:
KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Diodos - Rectificadores - Solteiros, Diodos - Zener - Single, Transistores - JFETs, Tiristores - SCRs - Módulos, Transistores - IGBTs - Single, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays and Tiristores: DIACs, SIDACs ...
Ventaxa competitiva:
We specialize in Vishay Siliconix IRFD214PBF electronic components. IRFD214PBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRFD214PBF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IRFD214PBF Atributos do produto

Número de peza : IRFD214PBF
Fabricante : Vishay Siliconix
Descrición : MOSFET N-CH 250V 450MA 4-DIP
Serie : -
Estado da parte : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnoloxía : MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) : 250V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C : 450mA (Ta)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 2 Ohm @ 270mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs : 8.2nC @ 10V
Vgs (máximo) : ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds : 140pF @ 25V
Función FET : -
Disipación de potencia (máx.) : 1W (Ta)
Temperatura de operación : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe : Through Hole
Paquete de dispositivos de provedores : 4-DIP, Hexdip, HVMDIP
Paquete / Estuche : 4-DIP (0.300", 7.62mm)