Número de peza :
IRFD214PBF
Fabricante :
Vishay Siliconix
Descrición :
MOSFET N-CH 250V 450MA 4-DIP
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
250V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
450mA (Ta)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
2 Ohm @ 270mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 250µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
8.2nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
140pF @ 25V
Disipación de potencia (máx.) :
1W (Ta)
Temperatura de operación :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Through Hole
Paquete de dispositivos de provedores :
4-DIP, Hexdip, HVMDIP
Paquete / Estuche :
4-DIP (0.300", 7.62mm)